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温湿度会影响气体传感器的使用寿命
导读： 绝大多数气体传感器对环境温度是敏感的。其原因是不论化学反应、电子元器件，仍是无机和有机材料，性能参数都会随温度而改动。毕竟构成传感器输出的电流和电压的改动。
环境温度
绝大多数气体传感器对环境温度是敏感的。其原因是不论化学反应、电子元器件，仍是无机和有机材料，性能参数都会随温度而改动。毕竟构成传感器输出的电流和电压的改动。
不同传感器的运用温度规划是怎样的?
催化燃烧传感器(LEL)：
LEL的运用温度规划很宽，从-40℃到70℃都可以运用。我国的消防认证所要求的温度规划便是从-40℃到70℃。
电化学传感器(EC)：
电化学传感器温度规划稍微窄一点，一般是-20℃到55℃。类型比较新的EC传感器可以做到在-40℃作业。但是，EC传感器无法长时刻在高温环境作业，首要是因为EC传感器内部有酸性或碱性的液体，在高温的环境中水分会蒸发或迅速添加，然后构成电解液损失或漏液。毕竟的现象便是呼应时刻T90变长，回零时刻变长，灵敏度变低，甚至无呼应。对EC传感器来说，最恶劣的情况是高温低湿(HTLH)和高温高湿(HTHH)。
非色散红外传感器(NDIR)：
NDIR传感器的温度规划很宽，可以抵达军工级-55℃到100℃以上。在外太空勘探气体就靠它。
光离子化传感器(PID)：
PID传感器的温度规划比较窄，做不到像NDIR相同。一般可以承受的便是-25℃到55℃。
金属氧化物半导体传感器(MOS)：
MOS传感器的温度规划可以很宽，但是温漂相当严重。它的灵敏度的数量级和温度系数的数量级之间是可以比拟的，因而MOS并不适合用在高温文低温环境，只运用于普通的室温环境中。
环境温度是怎么影响气体浓度丈量效果的?
催化燃烧传感器(LEL)：
先回忆一下LEL传感器的原理：催化珠是铂金丝盘绕而成的，铂金丝的电阻是随温度改动而改动的，温度越高，电阻越大。当铂金丝的温度在四百多度的时分，催化珠表面的催化剂活性初步明显。这时，当催化剂触摸甲烷的时分，甲烷初步燃烧，将热量传导给铂金丝，铂金丝电阻变大。
了解了原理，此问题就好回答了：当环境温度升高或下降的时分，催化珠中铂金丝的温度也会有改动。虽然催化珠是配对运用，消除掉了一些温度改动带来的影响，那也仅仅对于传感器零点有效，灵敏度仍是会随温度改动而改动的。
电化学传感器(EC)：
EC传感器内部是产生的氧化复原反应。但凡化学反应，反应速度都会随温度改动而改动。普遍的规律是，温度越低，传感器灵敏度越低，温度越高，传感器灵敏度越高。
在所有的电化学传感器中，原电池型的氧气传感器(氧电池)的温漂是最小的。从+20℃降温到-20℃，其灵敏度仅下降约10%。氢气传感器的温漂是最大的，从+20℃降温到-20℃，其灵敏度下降约80%。
非色散红外传感器(NDIR)：
NDIR传感器信号随环境温度改动的要素比较多，包括：光源的光谱、勘探器、滤光片温度系数、运放温度系数、电阻和电容温度系数等诸多要素。当这些要素概括效果的时分，使得NDIR的温度补偿变得非常复杂。这也是NDIR传感器价格高的原因之一。
光离子化传感器(PID)：
PID的温度漂移首要由电子元器件的温度漂移带来。气体物质的电离能简直不受温度改动的影响。这些电子元器件包括运放、电阻、电容、变压器线圈。
需求留心的是，当温度低到必定程度，紫外灯(UVLamp)就会点不亮。更丧身的是，紫外灯的两个部件——灯管和透光片会因为热膨胀系数不同而产生裂缝。这样紫外灯就因为漏气而报废了。
金属氧化物半导体传感器(MOS)：
MOS传感器的温漂是相当大的，这也是MOS传感器不适合工业安全，而只适用于民用环境的首要原因之一。您可能会说，温漂大，做温度补偿不就可以了吗?做过工程师的朋友们都会清楚，让一只温漂超越±30%的传感器在高低温下做到±3%的精度，简直是一件不可能的工作。
在民用环境，温度改动不大，如10℃-40℃，并且要求精度不高，仅仅要求报警的情况下，MOS的确是不错的低本钱选择。
怎么消除环境温度带来的影响?
催化燃烧传感器(LEL)：
一般不需求温度补偿。LEL传感器在研制的过程中，就现已考虑到了温漂。从-20℃到50℃，零点和量程点有1%-3%LEL的温漂，用户也是可以承受的。
电化学传感器(EC)：
需求做温度补偿，一般用一元二次方程或一元三次方程就能解决。自变量是温度，单位是℃，因变量是归一化后的温度系数，单位是%。
非色散红外传感器(NDIR)：
NDIR消除温度的影响办法有几种，本钱都比较高。第一种是公式法，第二种是查表法，第三种是恒温法。
光离子化传感器(PID)：
需求做温度补偿，和EC传感器相似，一般选用一元二次方程和一元三次方程就能解决。
金属氧化物半导体传感器(MOS)：
有必要做温度补偿，但需求留心的是，即使经过温度补偿，精度也不会很高。因为MOS传感器的一致性欠好，用一致的温度补偿公式恐怕难以抵达精度要求。最好的办法是逐个MOS传感器进行补偿，用一元二次方程，或用查表法。当然，这两种办法本钱也是比较高的。
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